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EMCCD系列

    PI公司的EMCCD相机产品一直处于世界领先水平。其产品不仅采用了高端的EMCCD芯片,更独自研发了低温制冷、永久金属焊接封装等技术,使EMCCD的性能充分发挥。目前PIEMCCD相机已经广泛应用于天文、科研等领域。为微光成像、单分子探测等应用提供了有力支持。

    型号列表:

Cascade:128+

Cascade:512B

Cascade:512F

Cascade:650B

Cascade:1k

QuantEMTM

 

 

 

 

PhotonMax:1024B

PhotonMax: 512B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

详细资料:

 

Cascade:128+  

特点: 性能指标:

    Cascade:128+能为您每秒500帧的16bit图像数据。该款相机采用英国E2V生产的使用片上增益技术的背照式EMCCD芯片,最高达90%以上的量子效率,灵敏度极高,能够在低照度环境下达到优良的成像效果。先进的电路设计以及热电半导体制冷方式,极大的降低了暗电流和系统噪声。

·高成像质量,每秒500帧速度
·背照式帧转移EMCCD
·12-MHz读出速度
·<1 e- rms的读出噪声
· -30°C制冷
·超低噪声的电路设计
·100%填充因子
·16bit动态范围
·标准C接口 

·CCD型号  e2v - CCD60
·CCD类型  背照帧转移
·分辩率   128×128
·像素尺寸 24×24 um
·芯片面积 3.072× 3.072mm
·制冷温度  - 30°C
·满阱电荷  250 ke-
·读出噪声  < 1 e- rms(片上增益放大模式)/ 65e-rms @12MHz(传统模式)
·帧速率    510~4149 fps
·A/D转换   16bit @ 12MHz
·暗电流    1 e-/p/s@ -30℃

 

Cascade:512B

特点: 性能指标:
    Cascade:512B采用英国E2V公司生产的使用片上增益技术的EMCCD芯片e2v CCD97B,该芯片采用背照式帧转移设计,16×16 um的像素尺寸,最高达90%以上的量子效率,拥有极高的灵敏度,能够在低照度环境下达到优良的成像效果。使。先进的电路设计以及热电半导体制冷方式,极大的降低了暗电流和系统噪声。双重放大读出方式,使产品使用范围更广泛

 ·高量子效率和成像质量
·背照式帧转移EMCCD
·10, 5, or 1 MHz 读出速度
·<1 e- rms的读出噪声
·-30°C制冷
·超低噪声的电路设计
·100%填充因子
·16bit动态范围
·标准C接口
 

 

·CCD型号 e2v - CCD97B
·CCD类型 背照 帧转移
·分辩率 512×512
·像素尺寸 16×16 um
·芯片面积 8.2×8.2 mm
·制冷温度 - 30°C
·满阱电荷 200 ke-
·读出噪声 < 1 e- rms(片上增益放大模式)/ 10e-rms @1MHz
·15e-rms @5MHz (传统模式)
·帧速率 29~329 fps
·A/D转换 16bit @ 10, 5, 1 MHz
·暗电流 1 e-/p/s@ -30℃

 

Cascade:512F  

特点: 性能指标:

    Cascade:512F采用英国E2V公司生产的使用片上增益技术的EMCCD芯片e2v CCD97F,该芯片采用前照式帧转移设计,16×16 um的像素尺寸,拥有极高的灵敏度,能够在低照度环境下达到优良的成像效果。使。先进的电路设计以及热电半导体制冷方式,极大的降低了暗电流和系统噪声。双重放大读出方式,使产品使用范围更广泛。
 

 ·高量子效率和成像质量
·前照式帧转移EMCCD
·10, 5, or 1 MHz 读出速度
·<1 e- rms的读出噪声
·-30°C制冷
·超低噪声的电路设计
·100%填充因子
·16bit动态范围
·标准C接口

 

 

CCD型号   e2v - CCD97F
CCD类型   前照 帧转移
分辩率    512×512
像素尺寸  16×16 um
芯片面积  8.2×8.2 mm
制冷温度  - 30°C
满阱电荷  200 ke-
读出噪声  < 1 e- rms(片上增益放大模式)/ 10e-rms @1MHz
15e-rms @5MHz (传统模式) 
帧速率    29~329 fps
A/D转换   16bit @ 10, 5, 1 MHz
暗电流    1 e-/p/s@ -30℃

 

Cascade:650B

特点: 性能指标:

    Cascade:650B采用美国德州仪器生产的使用片上增益技术的EMCCD芯片TI - TC253,该芯片采用前照式帧转移设计,653×492的分辩率,7.4 x 7.4-µm的像素尺寸,拥有极高的灵敏度,能够在低照度环境下达到优良的成像效果。先进的电路设计以及热电半导体制冷方式,极大的降低了暗电流和系统噪声。双重放大读出方式,使产品使用范围更广泛。专业的设计尤其适合显微镜应用。

 ·高量子效率和成像质量
·前照式帧转移EMCCD
·10, 5, 读出速度
·<1 e- rms的读出噪声
·-30°C制冷
·超低噪声的电路设计
·100%填充因子
·16bit动态范围
·标准C接口

 

 

CCD型号   TI - TC253
CCD类型   前照 帧转移
分辩率    653×492
像素尺寸  7.4 x 7.4-µm
芯片面积  4.9×3.7 mm
制冷温度  - 35°C
满阱电荷  27 ke-
读出噪声  < 1 e- rms(片上增益放大模式)
25e-rms @10MHz/5MHz (传统模式) 
帧速率    27-555fps
A/D转换   16bit @ 10, 5MHz
暗电流    1 e-/p/s@ -35℃

 

 

Cascade:1k

特点: 性能指标:

Cascade:1K为您提供卓越的百万像素解决方案,该款相机采用美国德州仪器生产的使用片上增益技术的EMCCD芯片,拥有极高的灵敏度,能够在低照度环境下达到优良的成像效果。使用于各种低照度应用和生命科学显微镜应用。先进的电路设计以及热电半导体制冷方式,极大的降低了暗电流和系统噪声。

 

 ·高成像质量
·前照式帧转移EMCCD
·10-MHz读出速度
·<1 e- rms的读出噪声
·百万像素,-30°C制冷
·超低噪声的电路设计
·100%填充因子
·16bit动态范围
·标准C接口

 

CCD型号 TI - TC285
CCD类型 前照 帧转移
分辩率 1004×1002
像素尺寸 8×8 um
芯片面积 8.0×8.0 mm
制冷温度 - 30°C
满阱电荷 30 ke-
读出噪声 < 1 e- rms(片上增益放大模式)/ 15e-rms @10MHz(传统模式)
帧速率 9~103 fps
A/D转换 16bit @ 10MHz
暗电流 0.5 e-/p/s@ -30℃

 

 

 

QuantEMTM

特点: 性能指标:

定量的EMCCD成像技术!


QuantEM™是自世界上第一款为显微镜设计的EMCCD相机由于应用了几种目前正在申请专利的新技术,QuantEM:512SC成为唯一的能够在16 bits范围内提供真正的定量稳定性的EMCCD相机!

 ·线性的、定量的EM增益调节滑块 - 使得此EMCCD相机的操作变得更为直观,并可以容易地计量。
·自校准EM增益功能 – 保证相机可以提供由用户自定义的合适量级的EM增益,并保证随着时间推移,相机仍然保持定量稳定性。
·由FPGA设计所带来的稳定背景 (bias stability 零偏稳定性) – 在进行时间序列拍摄等操作时,可以保证背景稳定,没有所谓的“漂移”。
·EM 端口16-bit A/D 转换以及极低的噪音 – 保证了高信噪比,而这对低照度荧光成像是极其重要的。
·Turbo 1394™ - 是IEEE 1394a (FireWire)接口的一个独特的具体实现,使相机可以提供目前市场上最高速的参数转换图像获取性能。

·芯片        E2VCCD97  back illumeted EMCCD
·分辨率      512×512
·芯片尺寸    8.2mm×8.2mm
·像素尺寸    16um×16um
·读出噪声    增益模式: 45 e- rms @ 5 MHz 60 e- rms @ 10 MHz
              传统模式: 8 e- rms @ 1.25 MHz 15 e- rms @ 5 MHz
·满阱电容量  增益模式:800 ke-
              传统模式:200 ke-
·制冷温度    降低30℃(保证值)
·暗电流      0.5 e-/p/sec (典型) -30℃
·增益控制    1到1000倍 软件控制4096阶
·垂直转移速度   2 μsec/row
·读出        16bit 10 MHz, 5 MHz, and 1.25 MHz

 

PhotonMax:1024B

特点: 性能指标:

目前为止世界上最先进的电子倍增相机,不但拥有高帧速下的单分子探测能力,而且通过不用任何液体助剂的情况下的热电制冷,可将温度降低至零下55℃,从而达到极大降低暗电流的效果,更为重要的是PI的最新的全金属真空封装技术为您提供真空仓的终生真空品质保证,精确的电子设计保证了产品的定量分析应用。 

 

·芯片:E2VCCD97  back illumeted EMCCD
·分辨率:512×512
·芯片尺寸:8.2mm×8.2mm
·像素尺寸:16um×16um
·读出噪声:增益模式: 45 e- rms @ 5 MHz 60 e- rms @ 10 MHz
           传统模式: 8 e- rms @ 1.25 MHz 15 e- rms @ 5 MHz
·满阱电容量:增益模式:800 ke-
             传统模式:200 ke-
·制冷温度:降低30℃(保证值)
·暗电流:0.5 e-/p/sec (典型) -30℃
·增益控制:1到1000倍 软件控制4096阶
·垂直转移速度:2 μsec/row
·读出:16bit 10 MHz, 5 MHz, and 1.25 MHz

 

PhotonMax: 512B

特点: 性能指标:
行业领域最先进的电子倍增产品不但拥有高帧速下的单分子探测能力,而且通过不用任何液体助剂的情况下的热电制冷,可将温度降低至零下80℃,从而达到极大降低暗电流的效果,更为先进的是PI的最新的全金属真空封装技术保证了真空仓的终生真空品质,精确的电子设计保证了产品的定量分析应用。 ·芯片:E2VCCD97B    frame transfer     back illumeted EMCCD
·分辨率:512×512
·芯片尺寸:8.2mm×8.2mm
·像素尺寸:16um×16um
·读出噪声:增益模式: 40 e- rms @ 5 MHz 50 e- rms @ 10 MHz
           传统模式: 8 e- rms @ 1 MHz 15 e- rms @ 5 MHz
·满阱电容量:增益模式:800 ke-
             传统模式:200 ke-
·非线性:增益模式:<2%
         传统模式:<1%
·制冷温度:降低70℃(保证值) 降低80℃(典型值)
·暗电流(- 70℃):0.005 e-/p/sec (典型) 0.01 e-/p/sec (最大)
·增益控制:1到1000倍 软件控制4096阶
·垂直转移速度:2 μsec/row